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| Artikelnummer | DMN61D8LQ-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 470mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 3V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 390mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Auf Lager: 18000
