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| Artikelnummer | BSS138-7-F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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