Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln APT27HZTR-G1

Diodes Incorporated APT27HZTR-G1

Artikelnummer
APT27HZTR-G1
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 450V 0.8A TO92
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.04070/pcs
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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT27HZTR-G1
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 450V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 40mA, 200mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 6 @ 300mA, 10V
Leistung max 800mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket TO-92
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