Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF BFU580GX

NXP USA Inc. BFU580GX

Número da peça
BFU580GX
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
TRANS RF NPN 12V 60MA SOT223
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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0.17600/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça BFU580GX
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 12V
Frequência - Transição 11GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1.8GHz
Ganho 10.5dB
Power - Max 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 30mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max) 60mA
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-261-4, TO-261AA
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-223
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