Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF BFU530AR

NXP USA Inc. BFU530AR

Número da peça
BFU530AR
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
TRANS RF NPN 12V 40MA TO-236AB
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Total:0.06975/pcs Unit Price:
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Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça BFU530AR
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 12V
Frequência - Transição 11GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 0.6dB @ 900MHz
Ganho 18dB
Power - Max 450mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max) 40mA
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-236AB (SOT23)
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