Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF BFG35,115

NXP USA Inc. BFG35,115

Número da peça
BFG35,115
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
TRANS NPN 10V 150MA SOT223
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Parâmetro do produto
Número da peça BFG35,115
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 18V
Frequência - Transição 4GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) -
Ganho -
Power - Max 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-261-4, TO-261AA
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-223
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