Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF BFG10,215

NXP USA Inc. BFG10,215

Numero di parte
BFG10,215
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte BFG10,215
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 8V
Frequenza - Transizione 1.9GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 7dB
Potenza - Max 400mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 250mA
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-143B
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