Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays HN1A01FE-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-Y,LF

Artikelnummer
HN1A01FE-Y,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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  • 12,000 pcs

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  • 28,000 pcs

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  • 100,000 pcs

    0.01050/pcs
Gesamt:0.01811/pcs Unit Price:
0.01811/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer HN1A01FE-Y,LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Leistung max 100mW
Frequenz - Übergang 80MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket ES6
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