Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln ZXTN2010A

Diodes Incorporated ZXTN2010A

Artikelnummer
ZXTN2010A
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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    0.12094/pcs
Gesamt:0.38000/pcs Unit Price:
0.38000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer ZXTN2010A
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 200mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 130MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket TO-92-3
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