Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays DMMT5551-7-F

Diodes Incorporated DMMT5551-7-F

Artikelnummer
DMMT5551-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer DMMT5551-7-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) Matched Pair
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 160V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Leistung max 300mW
Frequenz - Übergang 300MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-26
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